一、編制思路

　　《行動(dòng)計劃》堅持問(wèn)題導向和目標導向，明確了產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展目標、路徑和重點(diǎn)方向，做到“四個(gè)注重”:

　　一是注重突出發(fā)展重點(diǎn)。從發(fā)展基礎和條件看，廣東集成電路設計業(yè)在國內領(lǐng)先，龍頭企業(yè)具有一定的全球競爭力，應繼續鞏固設計業(yè)的競爭優(yōu)勢，并爭取在EDA軟件上實(shí)現突破。在制造環(huán)節，長(cháng)三角等地在先進(jìn)制程和存儲芯片制造、封裝測試等已形成優(yōu)勢，本著(zhù)錯位發(fā)展的原則，廣東應重點(diǎn)在特色工藝制程和已有一定基礎的功率器件、第三代半導體方面發(fā)力。因此，在發(fā)展思路上，廣東應充分利用終端需求市場(chǎng)規模大的優(yōu)勢，做大做強設計業(yè)，重點(diǎn)發(fā)展模擬芯片、功率器件和第三代半導體器件等，大力引進(jìn)和培育封測、設備、材料等領(lǐng)域龍頭企業(yè)，加快補齊制造業(yè)短板。

　　二是注重解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展突出問(wèn)題。針對產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的創(chuàng )新能力不強、設計產(chǎn)業(yè)集中度低、制造環(huán)節短板明顯、人才供求矛盾突出、對外依存度高等主要問(wèn)題，提出產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展等5大重點(diǎn)任務(wù)和一系列政策措施。

　　三是注重提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新能力。按普惠性原則激勵企業(yè)加大研發(fā)投入，對芯片流片費用給予獎補。對于基礎研究和應用基礎研究、突破關(guān)鍵核心技術(shù)或解決“卡脖子”問(wèn)題的重大研發(fā)項目，強化省級財政持續支持。建設一批設計服務(wù)平臺、檢測認證平臺和技術(shù)創(chuàng )新平臺，打造公共服務(wù)平臺體系。引導產(chǎn)業(yè)向高端化發(fā)展，推動(dòng)混合集成、異構集成技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，密切跟進(jìn)碳基芯片技術(shù)，支持提前部署相關(guān)前沿技術(shù)、顛覆性技術(shù)。

　　四是注重完善產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)。立足現有基礎，推動(dòng)底層工具軟件、芯片設計、制造、封裝測試、化合物半導體、材料及關(guān)鍵電子元器件、特種裝備及零部件等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節加快發(fā)展。支持終端應用龍頭企業(yè)通過(guò)數據共享、人才引進(jìn)和培養、核心技術(shù)攻關(guān)、產(chǎn)品優(yōu)先應用等合作方式培育國內高水平供應鏈，帶動(dòng)上下游配套企業(yè)協(xié)同發(fā)展。加快從全球引進(jìn)高端領(lǐng)軍人才、創(chuàng )新團隊，擴大高校微電子專(zhuān)業(yè)師資力量和招生規模，壯大人才隊伍。

　　二、《行動(dòng)計劃》主要內容

　　《行動(dòng)計劃》共有五部分內容：

　　第一部分，總體情況。對我省半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展現狀作了概述，提出問(wèn)題與挑戰、優(yōu)勢和機遇。

　　第二部分，工作目標。從產(chǎn)業(yè)規模、創(chuàng )新能力和產(chǎn)業(yè)布局三個(gè)方面提出發(fā)展目標，到2025年，集群主營(yíng)業(yè)務(wù)收入突破4000億，年均增長(cháng)超過(guò)20%，全行業(yè)研發(fā)投入超過(guò)5%，珠三角地區建設成為具有國際影響力的半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區。

　　第三部分，重點(diǎn)任務(wù)。提出了推動(dòng)產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展、突破產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)、打造公共服務(wù)平臺、保障產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈安全穩定、構建高水平產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新體系等五方面重點(diǎn)任務(wù)。

　　第四部分，重點(diǎn)工程。圍繞產(chǎn)業(yè)鏈條，提出底層工具軟件培育工程、芯片設計領(lǐng)航工程、制造能力提升工程、高端封裝測試趕超工程、化合物半導體搶占工程、材料及關(guān)鍵電子元器件補鏈工程、特種裝備及零部件配套工程、人才集聚工程等八大工程。

　　第五部分，保障措施。提出了加強組織領(lǐng)導、加大財政和金融支持力度、支持重大項目建設等保障措施。